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英飛凌采用CoolSiCMOSFET技術 推出新型汽車電源模塊

   日期:2021-05-07     瀏覽:9    
核心提示:5月3日,英飛凌科技公司宣布推出一款新型汽車電源模塊HybridPACK? Drive CoolSiC?。該全橋模塊采用CoolSiC MOSFET技術,阻斷電

5月3日,英飛凌科技公司宣布推出一款新型汽車電源模塊HybridPACK? Drive CoolSiC?。該全橋模塊采用CoolSiC MOSFET技術,阻斷電壓為1200V,適用于電動汽車(EV)的牽引逆變器?;谄嘋oolSiC溝槽MOSFET技術,該電源模塊適用于高功率密度和高性能應用,從而為具有超長續航和較低電池成本的車輛逆變器提供更高的效率,特別是搭載800 V電池系統和更大電池容量的車輛。

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(圖片來源:英飛凌)

現代汽車集團電氣化開發團隊負責人Jin-Hwan Jung博士表示:“全球模塊化電動平臺(E-GMP)的800 V系統為下一代電動汽車奠定了技術基礎,縮短了充電時間。通過使用基于英飛凌CoolSiC電源模塊的牽引逆變器,我們能夠將車輛的行駛里程提高5%以上,因為與基于硅的解決方案相比,這種SiC解決方案的損耗更低,并提高了效率?!?/p>

英飛凌創新與新興技術負責人Mark Münzer表示:“電動汽車市場已經高度活躍,為創意和創新奠定了基礎。隨著SiC器件價格的大幅下降,SiC解決方案的商業化將加速,從而使SiC技術被廣泛應用于提升電動車的續航里程,而采用SiC技術的平臺也更具成本效益?!?/p>

該電源模塊可為從硅到碳化硅的相同路徑提供簡便的升級途徑,從而使得逆變器設計能夠在1200 V級中實現高達250 kW的高功率、更長的續航里程、更小的電池尺寸以及優化的系統尺寸和成本。為了在不同功率水平下提供最佳的性價比,該產品提供具有不同芯片數的兩種版本,即1200 V 400 A或200 A直流額定值版本。

CoolSiC汽車MOSFET技術

第一代CoolSiC汽車MOSFET技術被優化以用于牽引逆變器,專注實現最低的傳導損耗,尤其是在部分負載條件下。與硅IGBT相比,結合碳化硅MOSFET的低開關損耗可提高逆變器操作效率。

除優化性能外,英飛凌還非常重視可靠性。汽車CoolSiC?MOSFET的設計和測試可實現短路魯棒性以及高水平的宇宙射線和柵極氧化物的魯棒性,這些對于高效設計、可靠的汽車牽引逆變器和其他高壓應用至關重要。該HybridPACK驅動器CoolSiC電源模塊符合汽車電源模塊AQG324規范。


 
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